半導體

導線框架是基本封裝工藝中的重要元件，在晶片和外殼外部連接之間起著機械支撐和電氣連接的作用。引線框架通常塗有複雜的多層塗層。這些層通常包括厚度在納米範圍內的金層和鈀層，而鎳層通常有幾微米厚。正是這種鉛載體的絲狀結構導致測量極易出錯，並使品質控制變得複雜。瞭解如何與我們一起應對這一挑戰！

在半導體封裝技術中，著陸墊是晶片上的基本接觸點，例如在接線過程中用於連接導線，或在倒裝晶片封裝過程中用於焊接凸塊。由於著陸墊是由鋁、銅或鎳等金屬製成的，因此通常會提供保護性或鈍化塗層，以防止腐蝕和金屬擴散。您正在尋找快速可靠的測量解決方案嗎？

球形陣列 (BGA) 是積體電路 (IC) 和微處理器的一種外殼，用於安裝在印刷電路板上。它們提供了高密度的連接，在外殼下面排列成一個微小的焊球矩陣。瞭解我們先進的測量解決方案如何快速可靠地測試 BGA！

高品質的凸塊下金屬化（UBM）對倒裝晶片連接的性能和可靠性至關重要。它通常應用於金屬焊盤，以確保後期工藝中焊接凸塊具有更好的可焊性和附著力。此外，UBM 還能形成防止金屬擴散的阻擋層，從而改善晶片與封裝之間的連接。您是否準備好瞭解我們的解決方案如何幫助您測量 UBM？

在倒裝晶片或先進封裝工藝中，例如晶圓級、2.5D 和 3D 封裝技術，焊接凸塊、銅柱凸點和金凸點用於將晶片連接到基板或基板上的晶圓（CoWoS）。出於功能性和成本方面的考慮，不同類型凸塊的確切材料成分（尤其是錫銀濃度）以及塗層厚度起著重要作用。探索我們應對這一挑戰的測量解決方案！

再分佈層（RDL）是晶圓級封裝（WLP）的關鍵元件，尤其是在晶圓級晶片尺寸封裝（WLCSP）等先進技術中。它們用於重新分配晶片的連接位置，使其符合不同封裝設計的標準化佈局。由於 RDL 中的導電軌道大多由銅製成，因此還需要使用鈦、鉻或鎳薄層，以防止銅擴散到絕緣材料中，並實現更好的附著力。想瞭解我們的測量解決方案如何幫助您？

背面金屬化是高功率半導體和感測器製造（如 MEMS 感測器）的關鍵製程步驟。透過精心選擇層數及其組合順序，背面金屬化可在電氣、機械和熱性能方面與相應半導體元件的特定要求實現最佳匹配。您正在尋找測試背面金屬化的測量解決方案嗎？

彈簧針或彈簧引腳是放置在晶片上的電氣連接裝置，用於使用探針卡進行晶片測試。為了在此測試過程中獲得絕對可靠的結果，彈簧針的功能塗層必須是高品質的。瞭解我們先進的測量解決方案如何使彈簧針測試變得簡單而精確！