半導体
超薄膜多層膜や微細構造の高精度膜厚測定と材料分析。
半導体は、今日と明日のテクノロジーを牽引します。品質、信頼性、効率に対する高い要求を満たすためには、精密な測定技術が不可欠です。最終的には、コネクテッドワールドにおける革新と信頼の基礎となります。
当社の高性能蛍光X線(XRF)測定装置やその他の高度な測定方法により、塗膜厚測定や材料分析のための幅広い非破壊・非接触ソリューションを提供します。これらは、シリコン半導体や化合物半導体のインライン検査やオフライン検査、PCB、コネクター、細線、RoHS分析など様々な電子アプリケーションで使用されています。
ウエハー・パッケージングは、小型化、競争力のある価格、性能、統合、エネルギー効率に関する高まる要求を満たす半導体産業の重要な技術です。特に、5G、AI、自律走行、IoT、高性能コンピューティング、ARおよびVR、量子コンピューティング、ストレージシステム、ハイテク医療機器などの高性能技術に関しては、高度なパッケージング技術とハイパワー半導体が大きな役割を果たします。
フィッシャーの測定技術は、リードフレーム、ランディングパッド、BGA、UBM、はんだバンプ、RDL、裏面メタライゼーション、スプリングコンタクト/ポゴピンの品質管理をサポートします。比類のない測定精度と効率で、ウェハーおよび半導体アプリケーションに世界最高の測定性能を提供する蛍光X線分析装置にお任せください。
応用例

リードフレーム
リードフレームは、集積回路(IC)などの半導体部品の基本的なパッケージング工程に不可欠な部品である。リードフレームは、ダイと筐体の外部接続部との間の機械的支持と電気的接続の役割を果たし、通常は金、パラジウム、ニッケルからなる複雑な多層コーティングで被覆されることが多く、それぞれの厚さはわずか数ナノメートルである。このようなリード・キャリアのフィリグリー性こそが、測定を誤りやすくし、品質管理を複雑にしている。
一般的な多層システム: Au/Pd/NiP/CuFe
当社のポリキャピラリー蛍光X線分析装置は、リードフレームの個々のリードのような非常に小さな構造のコーティング厚の測定に最適です。

はんだバンプ
ウェーハレベル、2.5D、3D パッケージング技術などのフリップチップや高度なパッケージングプロセスでは、チップを基板や基板上のウェーハ(CoWoS)に接続するために、はんだバンプ、銅柱バンプ、金バンプが使用されます。適切な機能性とコスト上の理由から、さまざまな種類のバンプの正確な材料組成、特にSnAg濃度、およびコーティングの厚さが大きな役割を果たします。
当社のハイエンド蛍光X線分析装置では、はんだバンプや銅柱バンプの材料組成と高さを正確に測定できます。例えば、SnAg合金やAgが1 %~3 %のSnAg/Cuなどです。さらに、Au/Ni/Cu/UBM/金属パッド/ウェハー基板などの金バンプのコーティング厚さも測定できます。

裏面メタライゼーション
裏面メタライゼーションは、MEMSセンサーなどの高出力半導体およびセンサー製造における重要な工程です。層とその組み合わせ順序を注意深く選択することにより、裏面メタライゼーションは、電気的、機械的、熱的特性の観点から、それぞれの半導体部品の特定の要件に最適に適合させることができます。
一般的な多層システム Ag/Ni/Ti/Al/ウェハー基板
当社の蛍光X線分析装置を使用すれば、裏面メタライゼーションの厚さと組成を正確に測定し、コーティングプロセスの品質を保証することができます。また、厚い金属層を測定するためのウェーハチャックなど、お客様のニーズに合わせたカスタマイズソリューションも提供しています。
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はんだバンプ
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ポゴピン
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