Semiconduttori

I lead frame sono componenti essenziali nei processi di confezionamento di base dei componenti a semiconduttore, come i circuiti integrati (IC). Servono come supporto meccanico e connessione elettrica tra il die e le connessioni esterne di un alloggiamento e sono spesso rivestiti con complessi rivestimenti multistrato, solitamente costituiti da oro, palladio o nichel, ciascuno con uno spessore di pochi nanometri. È proprio la natura filigranata di questo supporto di piombo che rende le misure soggette a errori e complica il controllo di qualità.
Sistema multistrato comune: Au/Pd/NiP/CuFe
I nostri dispositivi XRF policapillari sono perfettamente adatti a misurare lo spessore del rivestimento su strutture molto piccole, come i singoli conduttori dei lead frame.

Nelle tecnologie di confezionamento dei semiconduttori, servono come punti di contatto di base su un chip, ad esempio per fissare i fili durante il wire bonding o per saldare le protuberanze durante il confezionamento dei flip chip. Poiché le piazzole di atterraggio sono realizzate in metalli come l'alluminio, il rame o il nichel, di solito sono dotate di rivestimenti protettivi o di passivazione per prevenire la corrosione e la diffusione del metallo.
Sistema multistrato comune: Au/Pd/NiP/Cu/substrato del wafer
I nostri dispositivi XRF sono utilizzati con successo per misurare in modo affidabile gli spessori dei rivestimenti dei landing pad e la loro composizione materiale.

I Ball Grid Array (BGA) sono un tipo di alloggiamento per circuiti integrati e microprocessori utilizzato per il montaggio su PCB. Offrono un'elevata densità di connessioni, che sono disposte come una matrice microscopica di sfere di saldatura sotto l'alloggiamento.
Composizioni comuni dei materiali: SnPb, SnAgCu
Misurate la composizione dei materiali delle vostre leghe BGA, compreso il loro stato di assenza di piombo, in modo rapido e semplice con i nostri dispositivi XRF e scoprite cosa significa ispezione di qualità ad alta precisione!

La metallizzazione sotto le protuberanze (UBM) di alta qualità è fondamentale per le prestazioni e l'affidabilità delle connessioni dei flip chip. Di solito viene applicata alle piazzole metalliche per garantire una migliore saldabilità e adesione delle bumps di saldatura in un secondo momento del processo. Inoltre, l'UBM forma uno strato barriera contro la diffusione del metallo, migliorando così la connessione tra chip e package.
I nostri strumenti XRF sono la soluzione ideale per la misurazione affidabile dello spessore del rivestimento e per l'analisi dei materiali di sistemi multistrato estremamente sottili e complessi, come Au/Ni/Ti/substrato pad/wafer in metallo, Au/Ni/Cu/Ti/substrato pad/wafer in metallo o Pd/Ni/Cu/substrato pad/wafer in metallo.

Nei processi di flip chip o di confezionamento avanzato, come le tecnologie di confezionamento a livello di wafer, 2,5D e 3D, per collegare i chip al substrato o ai wafer su substrato (CoWoS) si utilizzano bumps di saldatura, pillar bumps di rame e bumps di oro. Per una corretta funzionalità e per ragioni di costo, l'esatta composizione del materiale, in particolare la concentrazione di SnAg, dei diversi tipi di bumps e lo spessore del rivestimento giocano un ruolo fondamentale.
Con i nostri strumenti XRF di fascia alta è possibile misurare con precisione la composizione del materiale e l'altezza delle protuberanze di saldatura o dei pilastri di rame, ad esempio leghe SnAg o SnAg/Cu con Ag tra l'1% e il 3%. Inoltre, è possibile misurare lo spessore del rivestimento delle protuberanze in oro, ad esempio Au/Ni/Cu/UBM/pad metallico/substrato del wafer.

Gli strati di ridistribuzione (RDL) sono componenti critici del packaging a livello di wafer (WLP), soprattutto nelle tecnologie avanzate come il Wafer-Level Chip Scale Packaging (WLCSP). Vengono utilizzati per ridistribuire le posizioni di connessione di un chip in modo che si adattino a un layout standardizzato per diversi progetti di packaging. Poiché le tracce conduttive degli RDL sono per lo più in rame, vengono applicati anche sottili strati di titanio, cromo o nichel per evitare la diffusione del rame nei materiali isolanti e per ottenere una migliore adesione.
Rivestimento comune: Ti/Cu
I nostri dispositivi XRF sono utilizzati per analizzare la composizione del materiale e misurare lo spessore del rivestimento degli RDL.

La metallizzazione posteriore è una fase di processo chiave nella produzione di semiconduttori e sensori ad alta potenza, ad esempio i sensori MEMS. Selezionando con cura gli strati e la loro sequenza di combinazione, la metallizzazione posteriore può essere adattata in modo ottimale ai requisiti specifici del rispettivo componente semiconduttore in termini di proprietà elettriche, meccaniche e termiche.
Sistema multistrato comune: Ag/Ni/Ti/Al/substrato del wafer
Con i nostri dispositivi XRF è possibile misurare con precisione lo spessore e la composizione della metallizzazione posteriore e garantire la qualità del processo di rivestimento. Perfettamente adatti al vostro compito di misurazione e personalizzati in base alle vostre esigenze, offriamo anche soluzioni personalizzate, ad esempio i nostri mandrini per wafer per misurare strati metallici più spessi.

I pogo pin, o pin a molla, sono meccanismi di connessione elettrica collocati sui wafer per il test dei wafer mediante schede di sonda. In questo modo, le proprietà elettriche delle singole matrici su un wafer vengono testate prima che vengano tagliate in chip.
Rivestimento comune: leghe Au/Ni/Cu
Per ottenere risultati assolutamente affidabili in questo processo di test, i rivestimenti funzionali dei pogo pin devono essere di alta qualità. È qui che entrano in gioco i nostri dispositivi XRF.